蘇州卡斯圖電子有限公司自主研發(fā)的無損紅外透視顯微技術(shù)，廣泛交付于半導(dǎo)體（Semiconductor）領(lǐng)域公司、平板顯示（FPD）公司、科研單位、高校及第三方實(shí)驗(yàn)室、軍工企業(yè)。

該技術(shù)方案得益于精密光學(xué)設(shè)計、納米級加工的集成式光學(xué)系統(tǒng)，容于常規(guī)金相顯微鏡（2寸-12寸）、常規(guī)體視顯微鏡（伽利略型及格林諾夫型）、常規(guī)工具顯微鏡、常規(guī)影像測量儀、超景深顯微鏡、大型龍門工業(yè)顯微鏡（MAX120寸）。技術(shù)方案可采用結(jié)構(gòu)光、近紅外波段、中遠(yuǎn)紅外波段、太赫茲波段穿透芯片、顯示面板表層封裝的非金屬化合物，對客戶產(chǎn)品進(jìn)行無損檢查。其微米/納米級物體內(nèi)部無損檢測技術(shù)在VECSEL器件、薄膜型黏晶材料穿透、全復(fù)消色差紅外檢測、可見光/紅外對位檢測等應(yīng)用。

MIR全系列工業(yè)顯微鏡,2寸/4寸/6寸/8寸/12寸，能夠穿透樣品表面，進(jìn)行無損觀察檢測，檢測效果好、速度快，大幅提升了客戶效率。本系列顯微鏡可根據(jù)客戶要求定制濾片、鏡頭、相機(jī)、平臺，可搭配自動傳動設(shè)備。

MIR100

MIR100紅外顯微鏡——VECSEL芯片無損紅外透視顯微解決方案

第二代半導(dǎo)體（硅基）

20世紀(jì)90年代以來，隨著移動通信的快速發(fā)展，以光纖通信和互聯(lián)網(wǎng)為基礎(chǔ)的信息高速公路的興起，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導(dǎo)體材料開始涌現(xiàn)。

垂直腔面發(fā)射激光器(vertical cavity surface emitting laser)，VMK系列、MM系列近紅外2D、2.5D多年來服務(wù)于技術(shù)量產(chǎn)VECSEL芯片企業(yè)的研發(fā)、品檢、生產(chǎn)中，提供了高性價比的VECSEL全設(shè)計波段無損檢測解決方案。

MIR100紅外顯微鏡——VECSEL芯片無損紅外透視顯微解決方案

第二代半導(dǎo)體（硅基）

20世紀(jì)90年代以來，隨著移動通信的快速發(fā)展，以光纖通信和互聯(lián)網(wǎng)為基礎(chǔ)的信息高速公路的興起，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導(dǎo)體材料開始涌現(xiàn)。

國內(nèi)某消費(fèi)電子代工廠，VCSEL無損穿透案例：

MIR400大平臺紅外顯微鏡

國內(nèi)前三半導(dǎo)體電光器件、模塊及系統(tǒng)的研發(fā)，銷售和產(chǎn)業(yè)化公司，VCSEL無損穿透案例：

垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，簡稱VCSEL，又譯垂直共振腔面射型激光）是一種半導(dǎo)體，其激光垂直于頂面射出，與一般用切開的獨(dú)立芯片制程，激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同。常規(guī)的金相顯微鏡無法觀測VECSEL產(chǎn)品，以下為近紅外顯微鏡MIR100拍攝的圖片

第二代半導(dǎo)體（化合物半導(dǎo)體）圖片

MIR100已交付近30客戶用于砷化鎵GaAs、磷化銦InP檢測分析。以下為MIR100近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。

第二代半導(dǎo)體（化合物半導(dǎo)體）圖片

MIR100已交付近30客戶用于砷化鎵GaAs、磷化銦InP檢測分析。以下為MIR100近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。

封裝芯片,晶圓級CSP/SIP的非破壞檢查,倒裝芯片封裝的不良狀況無損分析,透過硅觀察IC芯片內(nèi)部

IR近紅外線顯微鏡,可以對SiP（System in Package）,三維組裝,CSP（Chip Size Package）等用可視觀察無法看到的領(lǐng)域進(jìn)行無損檢查和分析

正置紅外顯微鏡,專用紅外硅片檢測顯微鏡,硅襯底的CSP觀察

Vcsel芯片隱裂（cracks),InGaAs瑕疵紅外無損檢測,LED LD芯片出光面積測量,Chipping(chip crack)失效分析,封裝芯片的內(nèi)部缺陷，焊點(diǎn)檢查,

鍵合片bumping,FlipChip正反面鍵合定位標(biāo)記重合誤差無損測量,可以定制開發(fā)軟件模塊快速自動測量重合誤差,硅基半導(dǎo)體Wafer,碲化鎘CdTe ,碲鎘汞HgCdTe等化合物襯底無損紅外檢測,太陽能電池組件綜合缺陷紅外檢測,LCD RGB像元面積測量

IR顯微鏡可用于透過硅材料成像,倒裝芯片封裝的不良狀況無損分析,通過紅外顯微鏡對硅片穿透可觀察晶體生長過程中的位錯,隱裂痕,芯片劃片封裝的不良狀況無損分析,封裝后的焊接部分檢查,可直接穿透厚度不超過600μm的硅片,觀察IC芯片內(nèi)部,觀察內(nèi)部線路斷裂,崩邊,崩裂,溢出等,也應(yīng)用于包括產(chǎn)品晶圓生產(chǎn)內(nèi)部缺陷檢查,短斷路檢查,鍵合對準(zhǔn)（薄鍵合電路）